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저자정보
Mohammad Marufuzzaman (Universiti Kebangsaan Malaysia) Mamun Bin Ibne Reaz (Universiti Kebangsaan Malaysia) Lye Suet Yeng (Universiti Kebangsaan Malaysia) Labonnah Farzana Rahman (Universiti Kebangsaan Malaysia) Torikul Islam Badal (Universiti Kebangsaan Malaysia)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제1호
발행연도
2018.2
수록면
7 - 14 (8page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-018-0008-x

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The transimpedance amplifi er (TIA) is the most favorable and effi cient choice for the front-end preamplifi er in optical fi bercommunication systems. High gain and low input noise to amplify weak and susceptible input signals are the two majoradvantages of TIAs. Moreover, to realize a low-cost solution, a TIA should be implemented in a complementary metal-oxidesemiconductor (CMOS) process and should occupy a small area. This paper presents a low-cost TIA for optical receiversin a 180-nm CMOS process. The proposed TIA combines both open-loop and closed-loop topologies. A capacitance isolationmethod is used for noise and bandwidth optimization. Finally, capacitive peaking is used for bandwidth enhancement. Moreover, the proposed TIA is designed without using any inductors for bandwidth enhancement as well as for reducingchip area. Simulation results show that the proposed TIA works up to a frequency of 2.2 GHz with a transimpedance gainof 54.4 dBΩ. The TIA consumes only 19.7 mW with a supply voltage of 1.8 V, and the active area of the proposed circuitis only 0.003 mm 2 .

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