Influence of Trap Passivation by Hydrogen on the Electrical Properties of Polysilicon-Based MSM Photodetector

이재성

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.6.316

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이재성 (위덕대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제6호

발행연도: 2017.12

수록면: 316 - 319 (4page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.6.316

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A new approach to improving the electrical characteristics and optical response of a polysilicon-based metal- semiconductormetal(MSM) photodetector is proposed. To understand the cause of current restriction in the MSM photodetector,modified trap mechanisms are suggested, which include interfacial electron traps at the metal/polysilicon interface andsilicon dangling bonds between silicon crystallite grains. Those traps were passivated using hydrogen ion implantationwith subsequent post-annealing. Photodetectors that were ion-implanted under optima conditions exhibited improvedphotoconductivity and reduced dark current instability, implying that the hydrogen bonds in the polysilicon influence thesimultaneous decreases in the density of dangling bonds at grain boundaries and the trapped positive charges at the contactinterface.

#Metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector #Hydrogen ion implantation #Trap passivation #Photoconductivity

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Robert Pownall / 2007 / Geometry Dependence of CMOS-Compatible, Polysilicon, Leaky-Mode Photodetectors / IEEE Photonics Technology Letters 19(7):513~515

Lucio Pancheri / 2005 / A silicon metal-semiconductor-metal photodetector macromodel for circuit simulations / Solid-State Electronics 49(2):175~181

H. Marom / 2006 / The contribution of grain boundary scattering versus surface scattering to the resistivity of thin polycrystalline films / Thin Solid Films 510(1-2):62~67

Jun Chen / 2005 / Electron-beam-induced current study of hydrogen passivation on grain boundaries in multicrystalline silicon: Influence of GB character and impurity contamination / Physica B: Condensed Matter 364(1-4):162~169

Sina Ghanbarzadeh / 2014 / Low Dark Current Amorphous Silicon Metal-Semiconductor-Metal Photodetector for Digital Imaging Applications / IEEE Electron Device Letters 35(2):235~237

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