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자료유형
학술저널
저자정보
Mohd Idzat Idris (The National University of Malaysia) Katsumi Yoshida (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology) Toyohiko Yano (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology)
저널정보
한국원자력학회 Nuclear Engineering and Technology Nuclear Engineering and Technology 제54권 제3호
발행연도
2022.3
수록면
991 - 996 (6page)

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Microstructures of monolithic high purity SiC and SiC with sintering additives after neutron irradiation toa fluence of 2.0e2.5 1024 n/m2 (E > 0.1 MeV) at 333e363 K and after post-irradiation annealing up to1673 K were observed using a transmission electron microscopy. Results showed that no black spotdefects or dislocation loops in SiC grains were found after the neutron irradiation for all of the specimensowing to the moderate fluence at low irradiation temperature. Thus, it is confirmed that these specimenswere swelled mostly by the formation of point defects. Black spots and small dislocation loops werediscovered only after the annealing process in PureBeta-SiC and CVD-SiC, where the swelling almostdiminished. Anomalous-shaped YAG grains were found in SiC ceramics containing sintering additives. These grains contained dense black spots defects and might lose crystallinity after the neutron irradiation,while these defects may annihilate by recrystallization during annealing up to 1673 K. Amorphousgrain boundary phase was also presented in this ceramic, and a large part of it was crystallized throughpost-irradiation annealing and could affect their recovery behavior.
#SiC #Neutron irradiation #TEM #Black spot #Dislocation loop #Point defect

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