실리콘 직접 본딩에 의한 P-N 접합의 특성에 관한 연구

정원채

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.10.615

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정원채 (경기대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제10호

발행연도: 2017.10

수록면: 615 - 624 (10page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.10.615

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본 연구는 직접적으로 실리콘접합의 물리적이고 전기적인효과를 다양하게 조사하였다. 직접적인 접합은 중간매개 층 없이 두 개의 웨이퍼가 결합되는 것을 의미한다. 자연산화 막을 제거하기위해서 HF를 사용하여 표면이 평평하고 깨끗하다면, 실온에서는 물리적으로 약한 결합을 형성하고 접촉이 이루어질 때에 웨이퍼는 서로 달라붙게 된다. 접합실험을 위한 경계면관찰을 조사하기위해서 IR카메라 와 초음파영상시스템이 접합조건과 공백을 위해서 사용되었다. 본 실험에서 I-V, C-V특성과 LCR 미터를 사용하여 주파수에 따른 캐파시턴스값들을 측정하였다. 직접적인 실리콘웨이퍼접합은 두 장의 웨이퍼를 용융시키는 간단한 방법이다.그러나, 두 장의 웨이퍼를 완벽하게 접합하는 것은 쉽지가 않다. 직접 접합기술은 MEMS, 3차원의 집적회로 와 특수한 소자에 사용될 수 있다.

#Wafer bonding #P-N junction #Current-voltage #Capacitance-voltage #Acoustic and SEM measurement #LCR meter #Computer simulation

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Erno H. Klaassen / 1996 / Silicon fusion bonding and deep reactive ion etching: a new technology for microstructures / Sensors and Actuators A: Physical 52(1-3):132~139

M.A. Schmidt / 1998 / Wafer-to-wafer bonding for microstructure formation / Proceedings of the IEEE 86(8):1575~1585

Gertrud Kräuter / 1998 / Low temperature silicon direct bonding for application in micromechanics: bonding energies for different combinations of oxides / Sensors and Actuators A: Physical 70(3):271~275

Drago Resnik / 2000 / Study of low-temperature direct bonding of (111) and (100) silicon wafers under various ambient and surface conditions / Sensors and Actuators A: Physical 80(1):68~76

Zhixiong Liu / 2001 / Micromechanism fabrication using silicon fusion bonding / Robotics and Computer-Integrated Manufacturing 17(1-2):131~137

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