메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박희준 (성균관대학교(자연과학캠퍼스) 정보통신기술연구소) Nguyen Van Duy (성균관대학교 정보통신대학) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제8호
발행연도
2017.8
수록면
479 - 483 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.479

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
ELA에 의해 형성된 Poly-Si의 최적화 된 박막 트랜지스터에 대해 NH3 플라즈마 처리가 소자 특성에 미치는 영향을 확인하였다. MIS (Metal-Insulator-Silicon)에서 C-V 곡선을 확인한 결과, NH3 플라즈마 처리 된 MIS의 Dit는 2.7x10^10 cm-2eV-1이었다. 또한 TFT 소자의 경우 0.5V / decade의 subthreshold voltage, 1.9V threshold voltage 감소하였으며 26 cm^2V-1S-1의 이동도가 향상되었다. Si-N 및 Si-H 결합은 각 계면에 dangling bonding을 감소시켰다. Gate bias stress를 일정한 시간을 두고 가했을 때, NH3 플라즈마 처리 된 디바이스의 threshold voltage shift 값은 1000 초 동안 0.58 V, 3600 초 동안 1.14 V, 7200 초 동안 1.12 V였다. 각 parameters에서 알 수 있듯이, 전기적 안정성이 향상된 것으로 보아 NH3 플라즈마 처리는 passivation에 효과적이라고 여겨진다.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (11)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0