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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 662 - 665 (4page)
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In this paper, plasma treatment was conducted using two types of gases, NH₃ and N₂O, to compare and analyze the electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs depending on the plasma gas used. DC and CV measurements were carried out for this analysis. The DC measurement showed that the plasma treatment effectively removed the positive fixed charges from the surface. Additionally, frequency dispersion analysis in the CV measurements confirmed that defects were eliminated due to the plasma treatment, with the treatment using N₂O gas proving to be more effective. Moreover, surface bonding state analysis using XPS revealed that high-quality oxide layers were formed on the surface after plasma treatment with N₂O gas, demonstrating excellent passivation effects.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제작
Ⅲ. 결과 및 토론
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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