메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국원자력학회 Nuclear Engineering and Technology Nuclear Engineering and Technology 제51권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
769 - 775 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
The tensile strength of irradiated 3C-SiC, SiC with artificial point defects, SiC with symmetric tilt grainboundaries (GBs), irradiated SiC with GBs are investigated using molecular dynamics simulations at300 K. For an irradiated SiC sample, the tensile strength decreases with the increase of irradiation dose. The Young's modulus decreases with the increase of irradiation dose which agrees well with experimentand simulation data. For artificial point defects, the designed point defects dramatically decrease thetensile strength of SiC at low concentration. Among the point defects studied in this work, the vacanciesdrop the strength the most seriously. SiC symmetric tilt GBs decrease the tensile strength of pure SiC. Under irradiated condition, the tensile strengths of all SiC samples with grain boundaries decrease andconverge to certain value because the structures become amorphous and the grain boundaries disappearafter high dose irradiation.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (58)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0