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그래핀 투명 전도성 전극과 높은 흡수계수를 갖는 LaVO₃의 이종 접합 구조는 차세대 고성능 광 검출기(PD)로 이상적입니다. 그러나 초기상태 그래핀은 낮은 전도도로 인하여 광 검출기 성능을 제한합니다. 그래핀에 금 파티클과 비스(트리플루오로메탄 설포닐)아미드 (TFSA)를 동시에 도핑하는 것은 그래핀의 높은 투명도를 유지하면서 전도도를 증가시키는 효과적인 방법입니다. 여기서, 우리는 금 파티클, TFSA, 및 금 파티클-TFSA가 도핑된 그래핀/LaVO₃ 수직 이종 구조 PD를 보고합니다. 결과적으로 금 파티클-TFSA가 도핑된 그래핀 기반 LaVO₃ 광 검출기 620 ㎚에서 최대 0.22 AW<SUP>-1</SUP>의 광 응답도와 7 × 10<SUP>11</SUP> ㎝㎐<SUP>1/2</SUP>W<SUP>-1</SUP> 검출능을 나타냅니다. 이러한 결과는 이전에 보고된 다층 그래핀/LaVO₃ 소자보다 우수한 성능을 입증합니다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
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