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화학 기상 증착법으로 합성된 2차원 물질과 LaVO₃ 접합하여 광대역 광 검출기를 제작하였다. 우리는 LaVO₃ 두께 (thickness, t) 변화에 따른 광 검출기의 성능을 체계적으로 측정하였다. 모든 소자는 0 V에서 광전류/암전류 비율이 가장 높았으며, “자체 전력 공급”이 가능함을 의미한다. 광검출기의 성능 특성은 t에 의존하였다. 특히, 소자의 검출능은 광 반응도와 암전류의 트레이드오프(trade-off)에 의해 t = 200 nm에서 2.8×10<SUP>12</SUP> cmHz<SUP>1/2</SUP>W<SUP>−1</SUP>가로 가장 높은 검출능을 보였다. 또한, 290μs 상승/580 μs 하강 응답 속도는 기존 보고된 MoS₂ 기반 광 검출기 소자보다 우수한 성능을 보여주었다.
목차
I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 고찰
IV. 결론
REFERENCES
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