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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
이재준 (경희대학교) 이호선 (경희대학교) 문상민 (안동대학교) 신동희 (안동대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제72권 제5호
발행연도
2022.5
수록면
360 - 364 (5page)

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스퍼터링 증착법을 이용하여 Si 기판 위에 LaVO₃ 박막을 성공적으로 제작하였다. 특히, 광검출기 광반응도는 LaVO₃ 박막의 유·무에 따라 의존하였다. LaVO₃ 박막은 Si의 표면의 반사도를 최대 60% 감소시켜 광흡수도 향상 시킬 수 있으며 빛 조사에 의해 LaVO₃ 박막에서도 캐리어 생성이 가능하다. 또한, LaVO₃/Si 광검출기는 0 V 하에 가장 높은 광전류/암전류 특성을 보이며, 이는 “자체전력”으로 구동이 가능함을 시사한다. 결과적으로 LaVO₃/Si 광검출기의 광반응도는 850 nm 파장에서 0.37 A·W<SUP>−1</SUP> 으로 단일 Si 소자 (0.27 A·W<SUP>−1</SUP>)에 비해 높은 광반응도 특성을 보인다. 이러한 결과는 간단한 구조의 LaVO₃/Si 광검출기 소자가 향후 광전자 소자 활용에 있어 매우 유용할 것으로 예상된다.
#Perovskite oxide #Si #Heterostructure #Photodetector #Sputtering #페로브스카이트 산화물 #실리콘 #이종접합 #광검출기 #스퍼터링

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
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