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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.12
- 수록면
- 205 - 212 (8page)
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이번 연구에서 우리는 낮은 온 저항을 위해 p-well 영역 아래에 도입된 전류 확산층을 변화시켜 고전압 4H-SiC 전력 Diffused MOSFET(DMOSFET)에 대해 연구했다. Current Spreading Layer(CSL)의 두께(T<SUB>CSL</SUB>)를 0~0.9 um, CSL의 도핑 농도(N<SUB>CSL</SUB>)를 1~5×10<SUP>16</SUP> cm<SUP>-3</SUP>으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 분석하였다. TCAD 2D-simulation을 통해 최적화되었으며 CSL이 온 저항을 낮추는 것뿐만 아니라 항복전압도 낮춤으로써 CSL의 최적화의 중요성을 확인하였다. 최적화된 구조는 59.61 mΩ·cm²의 온저항, 5 kV의 항복전압, 0.43 GW/cm²의 Baliga’s Figure of Merit(BFOM)을 보여주었다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
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