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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.6
- 수록면
- 248 - 254 (7page)
이용수
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본 논문에서는 Trench를 이용하여 기존 C-DMOSFET(Conventional DMOSFET)과 S-DMOSFET(Shielded DMOSFET) 구조보다 더 깊은 영역에 P+ shielding을 형성한 TS-DMOSFET(Trench Shielded DMOSFET) 구조를 제안하였으며 TCAD 시뮬레이션을 통해 C- 및 S-DMOSFET 구조와 전기적 특성을 비교하였다. 제안한 구조는 Source에 Trench를 형성한 후 도핑을 진행하므로 SiC 물질 특성과 관계없이 깊은 영역에 P+ shielding을 형성할 수 있다. 이로 인해 P-base에 인가되는 전압이 감소하여 리치스루 효과가 완화되었다. 그 결과 세 구조 모두 3.3kV의 항복 전압을 가질 때 제안한 구조의 온저항은 9.7mΩcm²으로 C-DMOSFET과 S-DMOSFET의 온저항인 30.5mΩcm², 19.3mΩcm² 대비 각각 68%, 54% 개선된 온저항을 갖는다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
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