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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.11
- 수록면
- 575 - 580 (6page)
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A stable transfer method is required to make a two-dimensional material PN junction diode. We have developed a new transfer method to stably fabricate two-dimensional materials PN junction diode. The disadvantages of dry transfer method and wet transfer method were refined by mixing the existing transfer methods: dry transfer method and wet transfer method. At the new transfer method, we coat WSe2 with a PC solution and take it off using PDMS and tape. And it is arrayed to put it on MoS2 through an optical microscope. When measuring MoS2/WSe2 heterojunction samples made by the new transfer method by Raman spectroscopy, we could confirm both MoS2 peak and WSe2 peak were red-shifted. Also, at the I-V measurement, we could confirm the current flow three times more when it was forward biased than that of reverse biased. Consequently, we could get stable MoS2/WSe2 yield with a new transfer method and the physical properties of MoS2/WSe2. We are expecting that the new transfer method can be extended to other two-dimensional materials and will help fabricate various two-dimensional heterojunction structures.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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