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학술저널
저자정보
Dongjun Seo (Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)) Won-Bae Kwon (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) Sung Chang Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) Chang-Soo Park (Gwangju Institute of Science and Technology (GIST))
저널정보
한국광학회 Current Optics and Photonics Current Optics and Photonics Vol.3 No.6
발행연도
2019.12
수록면
510 - 515 (6page)

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In this paper, we introduce a 1.3-μm 25-GHz waveguide-integrated vertical PIN type Ge-on-Si photo-detector fabricated using a multi-project wafers service based on fringing field analysis in the depletion region. In general, 1.3-μm photodetectors fabricated using a commercial foundry service can achieve limited bandwidths because a significant amount of photo-generated carriers are located within a few microns from the input along the device length, and they are influenced by the fringing field, leading to a longer transit time. To estimate the response time, we calculate the fringing field in that region and the transit time using the drift velocity caused by the field. Finally, we compare the estimated value with the measured one. The photodetector fabricated has a bandwidth of 20.75 GHz at -1 V with an estimation error of <3 GHz and dark current and responsivity of 110 nA and 0.704 A/W, respectively.

목차

I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE
III. FRINGING FIELD ANALYSIS
IV. MEASUREMENT RESULTS
V. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (15)

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