메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국광학회 Current Optics and Photonics Journal of the Optical Society of Korea Vol.18 No.5
발행연도
2014.10
수록면
531 - 537 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Through-silicon vias (TSVs) are fine, deep holes fabricated for connecting vertically stacked wafers during three-dimensional packaging of semiconductors. Measurement of the TSV geometry is very important because TSVs that are not manufactured as designed can cause many problems, and measuring the critical dimension (CD) of TSVs becomes more and more important, along with depth measurement. Applying white-light scanning interferometry to TSV measurement, especially the bottom CD measurement, is difficult due to the attenuation of light around the edge of the bottom of the hole when using a low numerical aperture. In this paper we propose and demonstrate four bottom CD measurement methods for TSVs: the cross section method, profile analysis method, tomographic image analysis method, and the two-dimensional Gaussian fitting method. To verify and demonstrate these methods, a practical TSV sample with a high aspect ratio of 11.2 is prepared and tested. The results from the proposed measurement methods using white-light scanning interferometry are compared to results from scanning electron microscope (SEM) measurements. The accuracy is highest for the cross section method, with an error of 3.5%, while a relative repeatability of 3.2% is achieved by the two-dimensional Gaussian fitting method.
#Bottom CD measurement #High aspect ratio #Low numerical aperture interferometry #Through-silicon via (TSV) #White-light scanning interferometry

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
C. Song / 2010 / Bottom-up copper electroplating using transfer wafers for fabrication of high aspectratio through-silicon-vias / Microelectron. Eng 87:510~513 google schola T. van Kessel / 1999 / Measurement of trench depth by infrared interferometry / Opt. Lett 24:1702~1704 google schola C. A. Duran / 2007 / Infrared reflectometry for metrology of trenches in power devices / Proc. IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference :175 google schola J.-J. Tang / 2011 / TSV/3DIC profile metrology based on infrared microscope image / ECS Trans 34:937~942 google schola Y. Fujimori / 2011 / A new methodology for TSV array inspection / Proc. SPIE 7971:797101 google schola

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

이미지 기반 샴 네트워크를 활용한 반도체 제조 공정의 이상 분류 및 중요 구간 탐지
김정인 ,  목충협 ,  김현지 외 9명 대한산업공학회지 2024 .08
웨이퍼 결함 패턴 분류를 위한 보간법 기반의 준지도 대조학습
김정현 ,  이제혁 지능정보연구 2024 .03
Properties of Defective Regions Observed by Photoluminescence Imaging for GaN-Based Light-Emitting Diode Epi-Wafers
Jongseok Kim ,  HyungTae Kim ,  Seungtaek Kim 외 5명 Current Optics and Photonics 2015 .12
딥러닝 기반의 반도체 패키지 다이면 스크래치 검출 방법
박성범 ,  황영배 제어로봇시스템학회 논문지 2022 .10
Automatic Defect Detection from SEM Images of Wafers using Component Tree
Sunghyon Kim ,  Il-seok Oh JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017 .02

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2023-425-000238014