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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
한상우 (성균관대학교) 신창환 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2020.11
수록면
31 - 35 (5page)

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Cross-point array에 selector device로 Al₂O₃ injection barrier 와 HfO₂/Al₂O₃ superlattice 구조로 구성된 dual oxide based metal ion threshold voltage device를 제안했다. TS device는 superlattice ratio(Hf₃Al₁, Hf₆Al₁, Hf₉Al₁)를 다르게 해서 비교했다. Switching layer 내부의 Al₂O₃의 비율이 감소함에 따라 TS device의 threshold voltage(~0.2 V)가 감소했고, 낮은 off current(~10-11 A)가 유지되었다. 또한, Al₂O₃의 injection barrier의 삽입으로 인해 endurance를 증가시켰고, compliance current를 증가시켜 high selectivity(~107)를 구현했다.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Fabrication and Measurement
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
References

참고문헌 (0)

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