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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 669 - 673 (5page)
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A previous study that made a UV sensor by depositing interdigital electrodes on AlGaN/GaN heterojunction. Structural differences, mechanisms, and performance were compared with other GaN-based photodetectors.
In this paper, the structure and mechanism of 2DEG-IDT are briefly explained and additional research was conducted on comparison of performance by optimizing the finger width/spacing parameters, which greatly affect the current mechanism. after that, We designed and fabricated experiments for verifying variables. the results observed through experiments were compared with the theoretical model to verify and analyze the validity of the theory.
As a result of the experiment, it was confirmed that the dark current and photocurrent increased as the finger spacing became shorter Except for some range. Through this, we found the best point for device stability and characteristics, so it is likely to be used as a usable model in other AlGaN/GaN-based structures using interdigital electrodes.
In this paper, the structure and mechanism of 2DEG-IDT are briefly explained and additional research was conducted on comparison of performance by optimizing the finger width/spacing parameters, which greatly affect the current mechanism. after that, We designed and fabricated experiments for verifying variables. the results observed through experiments were compared with the theoretical model to verify and analyze the validity of the theory.
As a result of the experiment, it was confirmed that the dark current and photocurrent increased as the finger spacing became shorter Except for some range. Through this, we found the best point for device stability and characteristics, so it is likely to be used as a usable model in other AlGaN/GaN-based structures using interdigital electrodes.
목차
참고문헌
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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