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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 202 - 205 (4page)
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In this study, we investigate the effect of temperature on the gas sensitivity of silicon gas sensor using TCAD simulation. The sensitivity is reduced with increasing operation temperature when the chemical reaction between gas molecule and silicon is constant regardless of temperature. High temperature can generate large current change induced by same gas adsorption. However, the base reverse current, which is reference current for sensitivity calculation, increases rapidly with increasing the temperature because the reverse saturation current is based on relationship between log I and 1/T. Consequently, the sensitivity degradation at high temperature is mainly caused by reduction of base reverse current.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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