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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 619 - 628 (10page)
- DOI
- 10.3795/KSME-A.2022.46.6.619
이용수
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파장 주사 간섭법은 고해상도 및 비접촉 측정이 가능하여 실리콘 웨이퍼의 표면형상 측정에 사용된다. 하지만, 2차 고조파와 비선형 위상 변조로 인해 측정 정밀도가 저하될 수 있다. 본 연구에서는 고조파와 비선형 위상 변조를 억제하면서 실리콘 웨이퍼의 표면 형상을 측정할 수 있는 고조파 위상 반복해석법을 개발하였다. 실리콘 웨이퍼의 반사율과 고조파 성분을 고려하여 고조파 위상 반복 해석법을 도출하였다. 또한, 제안된 분석법에 고조파 수렴조건 및 픽셀 선택 기법을 결합하여 위상 추출 성능을 향상시켰다. 마지막으로 파장 주사 Fizeau 간섭계로 측정된 5장의 간섭무늬와 고조파 위상 반복 분석법을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 표면 형상을 측정하였으며, 검증 실험의 반복 오차는 2.617 nm였다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. 파장 주사 간섭계의 간섭무늬 강도
3. 고조파 위상 반복 분석법
4. 검증 실험
5. 위상 추출 성능 검증
6. 결론
참고문헌(References)
참고문헌 (22)
참고문헌 신청
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Mori, K., Samata, S., Mitsugi, N., Teramoto, A., Kuroda, R., Suwa, T., Hashimoto, K. and Sugawa, S., 2020, “Influence of Silicon Wafer Surface Roughness on Semiconductor Device Characteristics,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 59, Article SMMB06.
Park, J., Kim, J. A., Ahn, H., Bae, J. and Jin, J., 2019, “A Review of Thickness Measurements of Thick Transparent Layers Using Optical Interferometry,” International Journal of Precision Engineering and Manufacturing, Vol. 20, No. 3, pp. 463~477.
Kim, Y., Hibino, K., Sugita, N. and Mitsuishi, M., 2015, “Surface Profile Measurement of a Highly Reflective Silicon Wafer by Phase-Shifting Interferometry,” Applied Optics, Vol, 54, No. 13, pp. 4207~4213.
Creath, K., 1988, “Phase-Measurement Interferometry Techniques,” Progress in Optics, North-Holland Elsevier, Vol. 26, pp. 349~393.
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