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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
차주홍 (Korea Electrotechnology Research Institute)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제71권 제2호
발행연도
2022.2
수록면
387 - 394 (8page)
DOI
10.5370/KIEE.2022.71.2.387

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Low temperature N₂/NH₃/SiH₄ plasma is used to deposit hydrogenated silicon nitride(SiN<SUB>x</SUB>:H). In this process, the main factor influencing the quality of the deposited film is the active species, such as SiH<SUB>x</SUB> and NH<SUB>x</SUB> radicals. In the conventional methods, it was insufficient to explain the correlation between generation of active species and the process parameters. So, a fluid model of 2D axis-symmetry based on dual antenna inductively coupled plasma (ICP) source using N₂/NH₃/SiH₄ gas mixture has been developed for SiN<SUB>x</SUB>:H film deposition. The gas mixture model was comprised of 57 species, 195 chemical reactions and 16 surface reactions. The ratio of input power between independent antenna system affects the electron and SiH<SUB>x</SUB>, NH<SUB>x</SUB> radical generation. And it was observed that the spatial uniformity of electron and radical density increases when the independent input power of dual antenna system is set to 500:500W.

목차

Abstract
1. 서론
2. 시뮬레이션 구성 및 방법
3. 시뮬레이션 결과 및 고찰
4. 결론
References

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