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정성진 (Sungkyunkwan University) 차예원 (Sungkyunkwan University) 김성헌 (Sungkyunkwan University) 김홍래 (Sungkyunkwan University) 박소민 (Sungkyunkwan University) 김태용 (Sungkyunkwan University) 박진주 (Cheongju University) 주민규 (Sungkyunkwan University) 이준신 (Sungkyunkwan University)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제71권 제1호
발행연도
2022.1
수록면
114 - 120 (7page)
DOI
10.5370/KIEE.2022.71.1.114

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The main efficiency limiting factors for homogeneous emitter solar cells are resistance loss through metal contact on the front side and recombination loss at the surface. Herein, a selective emitter technology is introduced to solve the above problem, and it is currently commercialized in the mainstream p-PERC (Passivated Emitter Rear Contact) solar cell. The selective emitter boosts efficiency by 0.3~0.4% when compared to a homogeneous emitter, and when applied to the n-TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) solar cell, high efficiency of 26% or higher may be predicted. The most widely utilized selective emitter technologies are laser and etch-back. The One-Step Technology, which is suited to the n-TOPCon solar cell process, a laser is suitable for mass manufacturing with high yield. Because selective emitters increase electrical characteristics, which impact cell efficiency, it is required to study and create a technology that is optimal for the n-TOPCon manufacturing process.

목차

Abstract
1. 서론
2. 선택적 에미터 형성 방법
3. n-TOPCon 태양전지의 선택적 에미터 기술
4. 결론
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2022-560-000128751