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본 논문은 고품질 GaN 기반 에피소재 기술현황과 국방분야 응용방안에 대한 연구이다. 먼저 기판에 따른 GaN 기반 에피소재의 현황과 기술적 도전과제들을 정리하고자 한다. 최근 다양한 분야에서 주목받는 GaN 소재는 높은 에너지 밴드갭, 높은 절연 전압, 빠른 전자포화속도 그리고 좋은 열전도성을 보유하고 있어 UV-light를 이용한 살균효과와 고주파 응용등 다양한 분야에 적용가능하며 기존의 수은램프와 진공관 트랜지스터들을 빠르게 대체해 나가고 있다. 둘째로 GaN 소재의 국방 분야 응용성을 고찰해보고자 한다. 최근 민수와 국방분야 모두 GaN 기반 소재를 이용한 다양한 소자들의 시장과 활용은 매우 빠르게 증가하고 있는 추세이며, 높은 신뢰성과 성능을 요구하는 최첨단의 국방분야 부품들을 대체해 나가고 있다. 이에 따라 고품질 GaN 기반 에피소재 기술은 그 시의성과 중요성을 고려해 볼 때 UV-light, 센서, 통신, 레이더 등 다양한 분야에서 더욱 많은 관심과 연구가 필요할 것이다.
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B. J. Baliga / 2010 / Advanced Power MOSFET Concepts / Springer
B. Moran / 2004 / Structural and morphological evolution of GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition on SiC substrates using an AlN initial layer / Journal of crystal growth 273:38~47
C. Heo / 2017 / Correlation Between Two- Dimensional Electron Gas Mobility and Crystal Quality in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structure Grown on 4H-SiC / JNN 17:577~580
Cockell, C. S. / 2002 / Influence of ice and snow covers on the UV exposure of terrestrial microbial couumnities: dosimetric studies / J. photochem. Photobiol. B: Biol 68:23~32
D. M. Follstaedt / 2009 / Strain Relaxation in AlGaN multilayer structures by inclined dislocations / Journal of Applied Physics 105:083507
B. Moran / 2004 / Structural and morphological evolution of GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition on SiC substrates using an AlN initial layer / Journal of crystal growth 273:38~47
C. Heo / 2017 / Correlation Between Two- Dimensional Electron Gas Mobility and Crystal Quality in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structure Grown on 4H-SiC / JNN 17:577~580
Cockell, C. S. / 2002 / Influence of ice and snow covers on the UV exposure of terrestrial microbial couumnities: dosimetric studies / J. photochem. Photobiol. B: Biol 68:23~32
D. M. Follstaedt / 2009 / Strain Relaxation in AlGaN multilayer structures by inclined dislocations / Journal of Applied Physics 105:083507
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