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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 574 - 581 (8page)
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Trend on high-power GaN(Gallium Nitride) SSPA(Solid-State Power Amplifier) and its availability in miniature radar systems are presented. There are numerous studies on high-power GaN devices since they have some characteristics of high-breakdown voltage, high power density, and high-temperature stability. Recent scaled GaN technology makes it possible to apply it in SSPAs for W- and G-band applications, with increasing its maximum frequency. In addition, it leads to downsizing and power-efficiency improvement of SSPAs, which means that GaN SSPAs can be available in miniature radar systems. This study also shows radar performance and comparison in the case of using such SSPAs at three frequency bands of Ku, Ka, and W. Finally, we demonstrate prospects of scaled GaN SSPAs in future miniature radar systems.
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E. Higham / 2012 / Future RF Market Opportunities / IEEE International Microwave Symposium Panel Session
K. Shinohara / 2011 / Device Scaling Technologies for Ultra-high-speed GaN-HEMTs / Device Research Conference :275~278
M. J. W. Rodwell / 2013 / Sub-mm-wave Technologies: Systems, ICs, THz Transistors / IEEE Asia-Pacific Microwave Conference :509~511
A. Brown / 2012 / High Power, High Efficiency E-band GaN Amplifier MMICs / IEEE International Conference on Wireless Information Technology and Systems :1~4
A. Margomenos / 2014 / GaN Technology for E, W and G-band Applications / IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium :1~4
K. Shinohara / 2011 / Device Scaling Technologies for Ultra-high-speed GaN-HEMTs / Device Research Conference :275~278
M. J. W. Rodwell / 2013 / Sub-mm-wave Technologies: Systems, ICs, THz Transistors / IEEE Asia-Pacific Microwave Conference :509~511
A. Brown / 2012 / High Power, High Efficiency E-band GaN Amplifier MMICs / IEEE International Conference on Wireless Information Technology and Systems :1~4
A. Margomenos / 2014 / GaN Technology for E, W and G-band Applications / IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium :1~4
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