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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 114 - 121 (8page)
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In this work, silicon nitride (SiNx) films were deposited on plastic substrates at room temperature close to 30 ℃ on polyethylenenaphthalate (PEN) films in an inductively coupled plasma (ICP) reactor with trisilylamine (TSA, N(SiH3)3) precursor and ammonia for flexible moisture barrier films. Moisture barrier property is improved as SiNx layer gets thicker, but cracks are found at thicker films above 300 nm or more. And the barrier performance of the thicker layers is degraded significantly. In order to improve both flexibility and barrier property, plasma polymer (PP) layers were deposited at room temperature and introduced between the SiNx layers. The water vapor transmission rate (WVTR) of a single SiNx film, 6.3 x 10 -3 g/(m2 · day), is reduced to 1.3 x 10 -3 g/(m2 · day) with SiNx/PP/SiNx/PP/SiNx alternating five-layer structure. After 1000 times bending in 1.5 cm of bending radius, the WVTR increases by 41% with five-layer structure, while that of single-layer structure increases by 69%. This work demonstrated that the SiNx and PP layers can be deposited at room temperature for flexible moisture barrier films.
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