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학술저널
저자정보
김한길 (영남대학교) 김수현 (영남대학교) 고경용 (연세대학교) 김형준 (연세대학교) 김재훈 (한국과학기술원) 오지훈 (한국과학기술원) 이한보람 (인천대학교)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.3
발행연도
2016.1
수록면
404 - 410 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2016

High Efficiency n-Si/p-Cu2O Core-Shell Nanowires Photodiode Prepared by Atomic Layer Deposition of Cu2O on Well-Ordered Si Nanowires Array
김한길 ,  김수현 ,  고경용 외 4명 Electronic Materials Letters 2016.01 학술저널

2015

A Study on the Atomic Layer Deposition (ALD) of p-type Copper(I) Oxide (Cu2O) Thin Films and Application as p-Cu2O/n-Si Nanowire Photodiode
김한길 신소재공학과 2015.01 학위논문

초록· 키워드

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A highly efficient n-Si/p-Cu2O core-shell (C-S) nanowire (NW)photodiode was fabricated using Cu2O grown by atomic layer deposition(ALD) on a well-ordered Si NW array. Ordered Si nanowires arrayswere fabricated by nano-sphere lithography to pattern metal catalystsfor the metal-assisted etching of silicon, resulting in a Si NW arrayswith a good arrangement, smooth surface and small diameterdistribution. The ALD-Cu2O thin films were grown using a new nonfluorinatedCu precursor, bis(1-dimethylamino-2-methyl-2-butoxy)copper(C14H32N2O2Cu), and water vapor (H2O) at 140°C. Transmissionelectron microscopy equipped with an energy dispersive spectrometerconfirmed that p-Cu2O thin films had been coated over arrayed Si NWswith a diameter of 150 nm (aspect ratio of ~7.6). The C-S NWphotodiode exhibited more sensitive photodetection performance underultraviolet illumination as well as an enhanced photocurrent density inthe forward biasing region than the planar structure diode. The superiorperformance of C-S NWs photodiode was explained by the lowerreflectance of light and the effective carrier separation and collectionoriginating from the C-S NWs structure.

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S. Barth / 2010 / Prog. Mater. Sci 55:563 google schola S. -W. Choi / 2014 / ACS Appl. Mater. Interfaces 6:8281 google schola J. -H. Kim / 2015 / ACS Appl. Mater. Interfaces 7:15351 google schola B. Z. Tian / 2007 / Nature 449:885 google schola X. Wang / 2010 / J. Appl. Phys 108:124303 google schola

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