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함다슬 (조선대학교) 정병언 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 양명훈 (조선대학교) 이종관 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 최영빈 (조선대학교) 강현철 (조선대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제7호
발행연도
2018.11
수록면
502 - 509 (8page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.7.502

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Epitaxial ZnO nanowires (NWs) were synthesized on sapphire (001) substrates using a hydrothermal process. The effects of the pH value of the precursor solution on the structural and optical properties of the resulting NWs wasstudied. The epitaxial relationship and the domain matching configuration between the sapphire (001) substrate and theas-grown ZnO NWs were determined using synchrotron X-ray diffraction measurements. The (002) plane of wurtzite ZnONW grows in the surface normal direction parallel to the sapphire (001) direction. However, three types of in-plane domainmatching configurations were observed, such as the on-position, 30°-rotated position, and ±8.5°-rotated position relative tothe on-position, which might be attributed to inheriting the in-plane domain configuration of the ZnO seed layer.

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