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자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.4
발행연도
2016.1
수록면
451 - 455 (5page)

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We successfully designed and experimentally demonstrated anapplication of patterned MgF2 dielectric material at rear Al-dopedZnO (AZO)/Ag interface in thin film amorphous silicon oxide (a-SiOx:H) solar cells. When it was realized in practical deviceprocess, MgF2 coverage with patterned morphology was employedto allow for current flow between the AZO and Ag against highlyresistive MgF2 material. On the basis of the suggested structure, wefound an improvement in quantum efficiency of the solar cells withthe patterned MgF2. In addition, an enhancement of open circuitvoltage (Voc) and fill factor (FF) was observed. A remarkableincrease in shunt resistance of the cells with the MgF2 wouldpossibly indicate that the highly resistive MgF2 layer can partlysuppress physical shunting across top and bottom electrodes causedby very thin absorber thickness of only 100 nm. The approachshowed that our best-performing device revealed an essentialimprovement in conversion efficiency from 7.83 to 8.01% withachieving markedly high Voc (1.013 V) and FF (0.729).

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J. -W. Schüttauf / 2015 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 133:163 google schola D. Y. Kim / 2015 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 141:148 google schola Y. H. Heo / 2014 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 122:107 google schola G. W. Shu / 2013 / Opt. Express 21:A123 google schola Chen-Chen Chung / 2014 / The Effect of CdS QDs Structure on the InGaP/GaAs/Ge Triple Junction Solar Cell Efficiency / Electronic Materials Letters 10(2):457~460 dbpia

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