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학술저널
저자정보
Jiaxiong Xu (Guangdong University of Technology) Yaqun Liu (Guangdong University of Technology) Yuanzheng Yang (Guangdong University of Technology)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.6
발행연도
2016.1
수록면
761 - 767 (7page)

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To explore Cu2ZnSnS4-based materials for solar cell applications, for thefirst time, Cu2Zn(Sn,Si)S4 thin films were fabricated using a two-stepmethod that consists of sputtering and post-sulfurization. The films werecharacterized and then incorporated into solar cells. X-ray diffractionand Raman spectroscopy revealed the formation of Cu2Zn(Sn,Si)S4structure with traces of a secondary phase after sulfurization treatments. The degree of sulfurization was enhanced as the temperature wasincreased. In addition, these techniques revealed that there was nosilicon or silicide phase present. The Si/Sn atomic ratio was 0.04-0.10. The thin films exhibited Cu-poor and Zn-rich characteristics and highabsorption coefficients. The direct optical band gap of the thin filmsranged between 1.42 and 1.52 eV. Heterojunction solar cells (glass/Mo/Cu2Zn(Sn,Si)S4/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Al) were fabricated and exhibitedthe highest conversion efficiency of 0.427%. This study showed thefeasibilities of fabricating Cu2Zn(Sn,Si)S4 thin films by a two-stepmethod and using Cu2Zn(Sn,Si)S4 thin films as an absorber layer withina solar cell.

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T. Todorov / 2011 / Thin Solid Films 519:7378 google schola K. Ramasamy / 2012 / Chem. Commun 48:5703 google schola A. V. Moholkar / 2012 / J. Alloys Compd 544:145 google schola K. Jimbo / 2007 / Thin Solid Films 515:5997 google schola J. X. Xu / 2014 / J. Renew. Sustain. Energy 6:053110 google schola

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