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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Z. Feng (National Central University) K. Q. Lin (National Central University) Y. C. Chen (National Central University) S. L. Cheng (National Central University)
저널정보
성균관대학교 성균나노과학기술원 NANO NANO Vol.13 No.9
발행연도
2018.1
수록면
117 - 125 (9page)

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In this study, the controllable fabrication of a variety of vertically aligned, single-crystalline [110]-oriented Si nanowire arrays with sharp tips on (110)Si substrates is achieved using a combined self-assembled nanosphere lithography and multiple electroless Ag-catalyzed Si etching processes. All of the experiments were performed at room temperature. The morphological evolution and formation mechanism of long tapered [110]Si nanowire arrays during the multiple tip-sharpening cycle processes have been investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and water contact angle measurements. Field emission measurements demonstrate that the field-emission behaviors of all nanowire samples produced in this study agree well with the Fowler–Nordheim theory, and the produced long tapered [110]Si nanowire array possesses superior electron emission characteristics, with a very low turn-on field of 1.4 V/ m and a high field enhancement factor of 3816. The simple and room temperature fabrication of the well-ordered long tapered [110]Si nanowire array and its excellent electron field emission performance suggest that it can serve as a good candidate for applications in high-performance. Si-based vacuum electronic nanodevices.

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