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Yoon Chankeun (Sungkyunkwan University) Moon Seungjun (성균관대학교) 신창환 (성균관대학교)
저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.7 No.19
발행연도
2020.1
수록면
1 - 7 (7page)

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In this work, the measured electrical characteristics of a fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) device and finshaped field-effect transistor (FinFET), whose gate electrode is connected in series to the bottom electrode of a ferroelectric capacitor (FE-FDSOI/FE-FinFET), are experimentally studied. The hysteretic property in input transfer characteristic of those devices is desirable for memory device applications, so that the understanding and modulating the hysteresis window is a key knob in designing the devices. It is experimentally observed that the hysteresis window of FE-FDSOI/FE-FinFET is decreased with (i) increasing the area of the ferroelectric capacitor and/or (ii) decreasing the gate area of baseline FET. The way how to control the hysteresis window of FE-FDSOI/FE-FinFET is proposed and discussed in detail.

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