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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 402 - 408 (7page)
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We demonstrate solution-processed hybrid ambipolar thin-film transistors (TFTs) employing a stack structure composed ofindium–gallium–zinc-oxide (IGZO) and single-wall carbon nanotube (SWCNT) as an active channel fabricated at low temperature. With an optimized deep-ultraviolet (DUV) photo annealing process for sol–gel based IGZO thin film on SWCNTrandom networks, the ambipolar transport of both electrons and holes with good electrical characteristics was realized. Wealso investigate the effect of DUV photo annealing on the material characteristics of solution-processed hybrid stack films andon the device performance of solution-processed hybrid ambipolar TFTs compared to those of samples thermally annealedat 500 °C, which is required for solution-processed high-quality IGZO thin films. The Raman spectra show that DUV photoannealing ensures hole transport in SWCNT random networks of a hybrid stack film, where the intensity of the 2D peakto the G peak was not changed compared to that of pristine SWCNT random networks. We believe that these analyticalinvestigations reveal that DUV photo annealing is a promising method by which to realize hybrid ambipolar SWCNT/IGZOTFTs fabricated at low temperature.
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