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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sein Oh (Kookmin University) Byung-Jun Jang (Kookmin University) Hyungil Chae (Kookmin University)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.18 No.1
발행연도
2018.1
수록면
35 - 40 (6page)

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This study presents a vertical-type CMOS Hall device with improved sensitivity to detect a 3D magnetic field in various types of sensors or communication devices. To improve sensitivity, trenches are implanted next to the current input terminal, so that the Hall current becomes maximum. The effect of the dimension and location of trenches on sensitivity is simulated in the COMSOL simulator. A verticaltype Hall device with a width of 16 μm and a height of 2 μm is optimized for maximum sensitivity. The simulation result shows that it has a 23% better result than a conventional vertical-type CMOS Hall device without a trench.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. VERTICAL-TYPE HALL DEVICE
III. SIMULATION RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2021-569-002133253