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정원재 (국민대학교) 임세미 (국민대학교) 박태준 (국민대학교) 홍석민 (국민대학교) 김진섭 (국민대학교) 박준석 (국민대학교) 채형일 (국민대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2016.11
수록면
241 - 244 (4page)

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This paper presents a hall device structure for improve hall sensor sensitivity using in a CMOS process. Hall device sensitivity is proportional to hall current (inverse proportional to magnetic filed and bias current). The hall current presented by (R<SUB>S</SUB> + 3R<SUB>D</SUB>)/R<SUB>S</SUB> × R<SUB>D</SUB> from equivalent circuit. The proposed cross shaped hall device has a low R<SUB>S</SUB>, and high sensitivity. The proposed hall device is simulated in a 3-dimensional model simulator in COMSOL Multiphysics, with 0.35 μm CMOS process parameters. The hall device prototype fabricated in 0.35 μm CMOS process. The measurement result is as following: the maximum sensitivity is approximately 12.6 %/T @ 20mT and 12 μA bias current.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 홀소자 특성 및 등가모델
Ⅲ. CMOS 홀소자 구조 및 크기에 따른 시뮬레이션
Ⅳ. 십자형 CMOS 홀소자 측정
Ⅴ. 결론 및 향후 연구계획
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