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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.1
- 수록면
- 451 - 456 (6page)
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반도체 메모리 소자의 커패시터에서 셀 커패시턴스의 향상과 scale down을 위해 유전막으로써 적층형 ONO 구조가 도입되었고 이들의 박막화가 지속적으로 시도되고 있으나 공정 처리 과정에서 많은 문제들이 대두되고 있다. 본 연구에서는 L/L LPCVD를 사용하여 약 10Å의 자연산화막 성장을 억제함으로써 3fF/cell의 정전 용량을 확보할 수 있었다. 또한 유전막의 박막화에 따른 질화막의 이상산화에 미치는 영향을 고찰함으로써 내산화성을 확보할 수 있는 유전막 형성의 안정적인 공정 관리 방법을 제안하였다.
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S. Mori / 1991 / ONO inter-poly dielectric scaling for nonvolatile memory applications / IEEE Trans. on Electron Devices 38(2):386~391
문성열 / 2014 / A Study on the DC parameter matching according to the shrink of 0.13㎛ technology / 한국전자통신학회 논문지 9(11):1227~1232
문성열 / 2014 / A study on Flicker Noise Improvement by Decoupled Plasma Nitridation / 한국전자통신학회 논문지 9(7):747~752
K. Wu / 1990 / A model for EPROM intrinsic charge loss through ONO interpoly dielectric / IEEE Reliability Physics Symposium, 28th Annual Proceedings :145~149
C. S. Pan / 1990 / A scaling methodology for oxide-nitride-oxide interpoly dielectric for EPROM applications / IEEE Trans. Electron Devices 37(6):1439~1443
문성열 / 2014 / A Study on the DC parameter matching according to the shrink of 0.13㎛ technology / 한국전자통신학회 논문지 9(11):1227~1232
문성열 / 2014 / A study on Flicker Noise Improvement by Decoupled Plasma Nitridation / 한국전자통신학회 논문지 9(7):747~752
K. Wu / 1990 / A model for EPROM intrinsic charge loss through ONO interpoly dielectric / IEEE Reliability Physics Symposium, 28th Annual Proceedings :145~149
C. S. Pan / 1990 / A scaling methodology for oxide-nitride-oxide interpoly dielectric for EPROM applications / IEEE Trans. Electron Devices 37(6):1439~1443
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