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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 791 - 796 (6page)
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본 연구에서는 DRAM 커패시터의 유전막 박막화를 위한 Load Lock(L/L) LPCVD 시스템을 이용한 적층형 커패시터의 제조 공정이 셀 커패시턴스에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 기존의 non-L/L 장치에 비하여 약 6Å의 산화막 유효두께의 저감으로 커패시턴스로 환산 시 약 3-4 fF의 차이가 나타남을 확인할 수 있었다. 또한 절연막으로써 질화막 두께의 측정 범위가 정상적인 관리 범위의 분포임에도 불구하고 Cs는 계산치보다 약 3∼6 fF 정도 낮은 것으로 확인되었다. 이는 node poly FI CD가 spec 상한치로 관리되어 셀 표면적의 감소를 초래하였고 이는 약 2fF의 Cs 저하를 나타내었다. 따라서 안정적인 Cs의 확보를 위해서는 절연막의 두께 및 CD 관리를 spec 중심값의 10 % 이내로 관리할 필요가 있음을 확인하였다.
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C. Pan / 1990 / A scaling methdology for oxide-nitride-oxide interpoly dielectric for EPROM applications / IEEE Trans. Electron Devices 37 (6) : 1439 ~ 1443
H. Kotaki / 1993 / Novel Elevated Silicide Source / Drain by Load Lock LPCVD-Si and Advanced Silidation Processing / IEEE International Electron Device Meeting 93 : 839 ~ 842
K. Wu / 1990 / A model for EPROM intrinsic charge loss through ONO interpoly dielectric / IEEE Reliability Physics Symposium, 28th Annual Proceedings : 145 ~ 149
M. Nakano / 1994 / Low Temperature and Facet Free Epitaxial Silicon Growth by Contamination Restrained Load Lock LPCVD System / Extended Abstracts of the 1994 International Confere
S. Mori / 1991 / ONO inter-poly dielectric scaling for nonvolatile memory applications / IEEE Trans. Electron Devices 38 (2) : 386 ~ 391
H. Kotaki / 1993 / Novel Elevated Silicide Source / Drain by Load Lock LPCVD-Si and Advanced Silidation Processing / IEEE International Electron Device Meeting 93 : 839 ~ 842
K. Wu / 1990 / A model for EPROM intrinsic charge loss through ONO interpoly dielectric / IEEE Reliability Physics Symposium, 28th Annual Proceedings : 145 ~ 149
M. Nakano / 1994 / Low Temperature and Facet Free Epitaxial Silicon Growth by Contamination Restrained Load Lock LPCVD System / Extended Abstracts of the 1994 International Confere
S. Mori / 1991 / ONO inter-poly dielectric scaling for nonvolatile memory applications / IEEE Trans. Electron Devices 38 (2) : 386 ~ 391
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