고이동도 TFTs 구현에 nc-Si:H 박막의 수소 희석비와 결정성이 미치는 영향

최지원; 김태용; 팜뒤풍; 조재웅; 최자양; 신동욱; 이준신

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최지원 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 김태용 (성균관대학교) 팜뒤풍 (성균관대학교) 조재웅 (성균관대학교(자연과학캠퍼스)) 최자양 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 신동욱 (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제34권 제4호

발행연도: 2021.1

수록면: 246 - 250 (5page)

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TFTs technologies with as high mobility as possible is essential for high-performance large displays. TFTs using nanocrystalline silicon thin films can achieve higher mobility. In this work, the change of the crystalline volume fraction at different hydrogen dilution ratios was investigated by depositing nc-Si:H thin films using PECVD. It was observed that increasing hydrogen dilution ratio increased not only the crystalline volume fraction but also the crystallite size. The thin films with a high crystalline volume fraction (55%) and a low defect density (1017 cm-3?eV-1) were used as top gate TFTs channel layer, leading to a high mobility (55 cm2/V?s). We suggest that TFTs of high mobility to meet the need of display industries can be benefited by the formation of thin film with high crystalline volume fraction as well as low defect density as a channel layer.

#Thin film transistor #High mobility #Nanocrystalline silicon #Crystalline volume fraction #Hydrogen dilution ratio

참고문헌 (24)

참고문헌 신청

M. Hara / 2011 / Thin Solid Films 519:3922

K. Y. Chan / 2010 / Phys. Status Solidi C 7:1144

M. H. Juang / 2011 / Thin Solid Films 519:3902

K. Y. Chan / 2008 / J. Non-Cryst. Solids 354:2505

Y. Wang / 2018 / Nanoscale Res. Lett. 13:234

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