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이동호 (중앙대학교) 차현석 (중앙대학교) 정환석 (중앙대학교) 황성현 (중앙대학교) 권혁인 (중앙대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
501 - 503 (3page)

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We examined the effects of aluminum (Al) capping layer thickness on the electrical performance and stability of high-mobility indium–gallium–tin oxide (IGTO) thin-film transistors (TFTs). The Al capping layers with thicknesses (t<sub>Als</sub>) of 0, 3, 5, and 8 nm were deposited on top of the IGT ... 전체 초록 보기

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