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김상환 (경북대학교 전자전기공학부) 신장규 (경북대학교) 권현우 (경북대학교 전자전기공학부) 장준영 (경북대학교 전자전기공학부) 김영모 (경북대학교 전자전기공학부)
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제30권 제1호
발행연도
2021.1
수록면
61 - 65 (5page)

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In this study, we propose a 2500 frame per second (fps) high-speed binary complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor using a gate/body-tied (GBT) p-channel metal oxide semiconductor field effect transistor-type high-speed photodetector. The GBT photodetector generates a photocurrent that is several hundred times larger than that of a conventional N+/P-substrate photodetector. By implementing an additional binary operation for the GBT photodetector with such high-sensitivity characteristics, a highspeed operation of approximately 2500 fps was confirmed through the output image. The circuit for binary operation was designed with a comparator and 1-bit memory. Therefore, the proposed binary CMOS image sensor does not require an additional analog-to-digital converter (ADC). The proposed 2500 fps high-speed operation binary CMOS image sensor was fabricated and measured using standard CMOS process.

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