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- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 78 - 78 (1page)
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프로브카드는 반도체 테스터와 반도체 웨이퍼간의 신호전달을 위해 사용되는 interface로 고속의 전기적 연결 특성을 보장하면서, 사용기간 동안 열적, 기계적 성질을 유지해야 하며, 반도체 외부 연결단자(pad)의 pitch와 chip 공간 내에 배치될 수 있는 프로브 핀을 기본요소로 구성되어진다.
(110) Si wafer의 anisotropic bulk etch를 통해 하단부-빔부-팁부로 구성된 고형상비 구조물을 제조할 수 있는데, 이는 하단부형성후 Si과 pyrex glass의 anodic bonding을 기본으로 진행된다. Probe의 대략적인 설계 목표는 높이 400um, pitch 90um, 구조물 형상비는 10:1 수준이므로 구조물 형성 후 배선 형성은 불가능하다. 이를 해결하기 위하여 비배선부 premetal(Cr/Cu base)을 anodic bonding 공정 이전에 형성하고, pro ... 전체 초록 보기
(110) Si wafer의 anisotropic bulk etch를 통해 하단부-빔부-팁부로 구성된 고형상비 구조물을 제조할 수 있는데, 이는 하단부형성후 Si과 pyrex glass의 anodic bonding을 기본으로 진행된다. Probe의 대략적인 설계 목표는 높이 400um, pitch 90um, 구조물 형상비는 10:1 수준이므로 구조물 형성 후 배선 형성은 불가능하다. 이를 해결하기 위하여 비배선부 premetal(Cr/Cu base)을 anodic bonding 공정 이전에 형성하고, pro ... 전체 초록 보기
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