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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 630 - 634 (5page)
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The enhanced performance of tunneling field effect transistors is demonstrated by employing triple polysilicon gates and highly n-doped source and drain pockets. The triple polysilicon gates consist of three areas with different values of doping concentration (PG₁, PG₂, and PG₃), and the source and drain pockets are located at the channel end of the source and drain, respectively. By optimizing the doping concentration of the PG1 and the source pocket, the threshold voltage is reduced from 0.46 V to 0.28 V, and on/off current ratio increases from 1.1ⅹ10<SUP>10</SUP> to 8.26ⅹ10<SUP>11</SUP>. In addition, the ambipolar current can be suppressed from 8.0ⅹ10<SUP>-13</SUP> A/um to 7.2ⅹ10<SUP>-18</SUP> A/um by incorporating the drain pocket with optimized doping concentration.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
Ⅳ. Acknowledgement
참고문헌
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