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논문 기본 정보
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- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 547 - 550 (4page)
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In this work, we proposed an Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO) as a 3D NAND channel material that can overcome the limitation of conventional 3D NAND poly silicon channel. Especially C-axis aligned crystal IGZO (CAAC-IGZO) has a wide bandgap, temperature tolerance, and crystal structure, then there is no grain boundary issue with small off-state leakage, change with temperature. Our new material and manufacturing method based on CAAC-IGZO channel will help to overcome the limitation of the current 3D NAND Flash memory and achieve high integration in accordance with the market storage demands.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. FABRICATION AND DETALLED EXPERIMENTS
Ⅲ. MEASURMENT RESULT
Ⅳ. CONCLUSION AND FUTURE RESEARCH DIRECTIONS
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