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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 407 - 409 (3page)
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Since the discovery of the ferroelectricity of doped HfO2, HfO2-based ferroelectric devices have been studied. In particular, the ferroelectricity of the hafnia thin film becomes dominant as it goes down to 6 nm, and the grain size effect suppresses the formation of the FE o-phase. In this paper, we have carried out a systematic investigation on the effect of BE materials having different coefficient of thermal expansion (CTE), by changing the electrode material one at a time at the bottom. As revealed by polarization versus electric fie ... 전체 초록 보기
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