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저자정보
정선호 (부산대학교) 정해도 (부산대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2021년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2021.5
수록면
27 - 27 (1page)

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반도체 소자의 다층 구조의 평탄화를 위해 적용되고 있는 CMP (Chemical Mechanical Planarization) 공정에서 이상적인 결과를 도출하기 위해서는 재료 제거율 예측이 필수적이다. 단차가 존재하는 패턴 웨이퍼의 경우, 연마 메커니즘은 패턴의 상부 또는 하부 영역에 패드의 미세 돌기가 접촉함으로써 단차 제거가 이루어지게 된다. 일반적으로 패턴과 패드 돌기 사이의 접촉 상태는 패드 물성, 돌기 형상, 패턴의 지형학적 정보 등에 따라 달라지며 이는 단일 패턴 내에서도 위치에 따라 상이하다. 기존 선행 연구들은 재료 제거율을 예측하기 위해서 패턴의 중심 부에서의 돌기 접촉을 모델 화하여 단일 값으로 도출하였다. 따라서, 패턴 내에서의 위치에 따른 연마 프로파일을 예측하지 못하고 패턴 에지 부에서의 과 연마 현상을 설^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10581606');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#

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