Etch Characteristics of Magnetic Tunnel Junction Material using H₂/NH₃ Ion Beam

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저자정보: 김예은 (Sungkyunkwan University) 김두산 (Sungkyunkwan University) 김주은 (Sungkyunkwan University) 길유정 (Sungkyunkwan University) 장윤종 (Sungkyunkwan University) 염근영 (Sungkyunkwan University)

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#Reactive ion beam etching (RIBE) #Magnetic random access memory (MRAM) #Magnetic tunnel junction (MTJ) #H₂ #NH₃

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