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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
조성욱 (영남대학교) 김아현 (영남대학교) 이경아 (영남대학교) 전찬욱 (영남대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.8 No.3
발행연도
2020.9
수록면
102 - 106 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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In this paper, the effect of MoSe₂ on the contact resistance (R<SUB>C</SUB>) of the transparent conducting oxide (TCO) and Mo junction in the scribed P2 region of the Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) solar module was analyzed. The CIGS/Mo junction becomes ohmic-contact by MoSe₂, so the formation of the MoSe₂ layer is essential. However, the CIGS solar module has a TCO/MoSe₂/Mo junction in the P2 region due to structural differences from the cell. The contact resistance (R<SUB>C</SUB>) of the P2 region was calculated using the transmission line method, and MoSe₂ was confirmed to increase R<SUB>C</SUB> of the TCO/Mo junction. B doped ZnO (BZO) was used as TCO, and when BZO/MoSe₂ junction was formed, conduction band offset (CBO) of 0.6 eV was generated due to the difference in their electron affinities. It is expected that this CBO acts as a carrier transport barrier that disturbs the flow of current, resulting in increased R<SUB>C</SUB>. In order to reduce the R<SUB>C</SUB> caused by CBO, MoSe₂ must be made thin in a CIGS solar module.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (19)

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