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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.9
- 수록면
- 421 - 426 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s13391-021-00294-9
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This study investigated the effect of MoSe2on the contact resistance (RC) of the transparent conducting oxide (TCO) andMo contact in the P2 region of the CIGS photovoltaic module. MoSe2formed in the process of making the Cu(In,Ga)Se2(CIGS) absorber layer imparts ohmic contact properties to the CIGS/Mo contact. In the process of connecting cells in seriesto fabricate a CIGS photovoltaic module, TCO/MoSe2/Mo contact was formed, and it was confirmed that MoSe2increasedthe RCof this contact using the transmission line method. It is estimated that the reason MoSe2increases the RCis due toconduction band offset (CBO). When ZnO used as TCO forms a contact with MoSe2,0.6 eV CBO is formed due to the differencein electron affinity. This CBO can act as a resistor that impedes the flow of current. Therefore, in order to reduce thecontact resistance of the CIGS solar module and increase the power conversion efficiency, it is necessary to make the MoSe2thin enough to facilitate carrier tunneling.
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Tokio Nakada / 2012 / CIGS-based Thin Film Solar Cells and Modules: Unique Material Properties / Electronic Materials Letters 8(2):179~185
김제경 / 2017 / Strategies to Reduce the Open-Circuit Voltage Deficit in Cu2ZnSn(S,Se)4 Thin Film Solar Cells / Electronic Materials Letters 13(5):373~392
Kyoung-Bo Kim / 2014 / Influence of Cr Thin Films on the Properties of Flexible CIGS Solar Cells on Steel Substrates / Electronic Materials Letters 10(1):247~251
Jalal Rouhi / 2015 / Synthesis of Needle-Shape ZnO-ZnS Core-Shell Heterostructures and Their Optical and Field Emission Properties / Electronic Materials Letters 11(6):957~963
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