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학술저널
저자정보
유완준 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) 조유석 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) 최규석 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) 김도진 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제14권 제8호
발행연도
2004.1
수록면
542 - 546 (5page)

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We report a new fabrication process for high performance triode type CNT field emitters and their superior electrical properties. The CNT-based triode-type field emitter structure was fabricated by the conventional semiconductor processes. The keys of the fabrication process are spin-on-glass coating and trim-and-leveling of the carbon nanotubes grown in trench structures by employing a chemical mechanical polishing process. They lead to strong adhesion and a uniform distance from the carbon nanotube tips to the electrode. The measured emission property of the arrays showed a remarkably uniform and high current density. The gate leakage current could be remarkably reduced by coating of thin $SiO_{2}$ insulating layer over the gate metal. The field enhancement factor(${\beta}$) and emission area(${\alpha}$) were calculated from the F-N plot. This process can be applicable to fabrication of high power CNT vacuum transistors with good electrical performance.
#carbon nanotubes #field emission #FED #triode

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