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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제6호
발행연도
2004.1
수록면
647 - 651 (5page)

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We fabricated the 1-inch diode type flat lamp using CNTs, which were grown directly on soda-lime glass substrate at 600 ～ 650 ℃ by thermal chemical vapor deposition(CVD) of acetylene gas. Turn-on field was about 2.8 V/㎛. We observed that uniform and high brightness had been obtained. The brightness of CNT flat lamp was measured up to about 14 k㏅/㎡ at 2000V in spacing of 500 ㎛. The results showed that the CNTs were very good emission source and suitable for application in the lamp.
#Carbon nanotube #Field emission #Chemical vapor deposition #Flat lamp

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/ 1991. / Helical microtubules of graphitic carbon 354 : 56 ~ google schola / 1995. / A carbon nanotubefield-emission electron sou 270 : 1179 ~ google schola / 1995. / Unraveling nanotubes: field emission from an atomic wire 269 : 1550 ~ google schola / 2001. / Ni 박막 촉매 Etching 조건에 따른 탄소나노튜브 성장 14 (9) : 751 ~ google schola / 2001. / 유도결합형 플라즈마 화학기상 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 성장 및 전계방출 특성 연구 14 (10) : 850 ~ google schola

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