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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이광만 (제주대학교 전기전자공학부) 최치규 (제주대학교 물리학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제3권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
45 - 50 (6page)

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Highly oriented diamond (HOD) films in polycrystalline can be grown on the (100) silicon substrate by microwave plasma CVD. Bias enhanced nucleation (BEN) method was adopted for highly oriented diamond deposition with high nucleation density and uniformity. The substrate was biased up to -250[Vdc] and bias time required for forming a diamond film was varied up to 25 minutes. Diamond was deposited by using $\textrm{CH}_4$/CO and $H_2$ mixture gases by microwave plasma CVD. Nucleation density and degree of orientation of the diamond films were studied by SEM. Thermal conductivity of the diamond films was ∼5.27[W/cm.K] measured by $3\omega$ method.
#CVD Diamond Films #HOD #Thermal Conductivity #$3omega$ Method

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