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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이재원 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김상호 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 이지원 ([주]아큐텍 반도체) 홍순성 ([주]아큐텍 반도체)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제3권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
11 - 17 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

COF(Chip On Film)에서의 Polyimide/Buffer layer/Cu 접착력 향상
이재원 ,  김상호 ,  이지원 외 1명 반도체및디스플레이장비학회지 2004.01 학술저널
COF(Chip On Film)에서의 Polyimide/Buffer layer/Cu 접착력 향상
이재원 ,  김상호 ,  이지원 외 1명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2004.01 학술대회자료

초록· 키워드

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This research has been progressed for adhesive improvement of the Polyimide/Buffer layer/Cu at the COF(Chip On Film) which induced as the alternative plan about high concentration of a circuit or substrates according to demands of miniaturization and high efficiency of various electronic equipment. RF plasma equipment was applied to when plama pretreatment was performed for improvement of adhesive strength of PI and Cr as the buffer layer. Experimental fluents were a species of the buffer layer, depositied time and the ratio of $O_2$/Ar when performed to plasma pretreatment. The results are that Ni was superior to Cr at peel test according to a species of the buffer layer, peel strength and Cu THK were showed proportional relation to deposition structure of the same buffer layer and sample of the Cr depositied time(30 sec) and Cu depositied time(20 min) was showed good adhesion to peel test according to Cr's depositied time and Cu's depositied time. When perform PI's plasma pretreatment peel strength and $O_2$/Ar ratio were showed proportional relation. But $O_2$/Ar(2/5) was best condition since then decreased.
#Peel Test #COF #Buffer Layer #Adhesion #Plasma Pretreatment

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